半導體廢氣前處理常遇難題及解決方案

半導體廢氣前(qián)處理常遇難題及解決方案摘要

問題 1:腐(fǔ)蝕性氣體處理不(bú)徹底,設備頻繁泄漏原因:單一吸附或吸收工藝對複雜混合腐蝕性氣體針對性不足,處理設(shè)備材質抗腐蝕性(xìng)能差。解決方案:采用 “分質吸收(shōu) + 防腐材質升級” 方案。針對酸性氣體(HF、Cl₂),使(shǐ)用堿性(xìng)噴淋塔(tǎ)(NaOH 溶液濃度 3%-5%),塔體及管道采用 PVDF 或襯(chèn)膠材質;對(duì)於(yú)氨(ān)氣等(děng)堿性氣體,設置酸性噴(pēn)淋塔(硫酸溶液濃度 2%-3%),兩級處理確保腐蝕性氣體去除效率99%。

問(wèn)題 1:腐蝕性(xìng)氣體處理(lǐ)不徹底,設備頻(pín)繁泄漏
原因:單一吸附或吸收工(gōng)藝對複雜混合腐蝕性氣體針對性不足(zú),處理(lǐ)設備(bèi)材質抗腐蝕性(xìng)能差。

解決方案:采用 “分質吸收 + 防腐材質升級” 方案。針對酸性氣體(HF、Cl₂),使用堿性噴淋塔(NaOH 溶液濃度 3%-5%),塔體及管道(dào)采用(yòng) PVDF 或襯膠材質;對於氨氣等堿性(xìng)氣體,設置酸性噴淋(lín)塔(硫酸溶液濃度 2%-3%),兩級處理確保腐蝕性氣體去除效率(lǜ)≥99%。同(tóng)時,定期檢測設備壁厚,每年進行一次防腐塗層維護。


問題 2:矽烷類氣體引發蓄熱體矽垢堵(dǔ)塞原因:矽(guī)烷在常溫下易與空氣反應(yīng)生成固態顆粒,普通過(guò)濾設備無法有效攔截。

解決方案:構建 “預處理 - 分解 - 過濾” 三級係統。首先(xiān)通過惰性氣體(tǐ)稀釋控製矽烷濃度(dù)在(zài)安全範(fàn)圍,然後進入催化分解(jiě)裝置將矽烷轉化為二氧化矽顆粒,最後經高效 HEPA 過(guò)濾器(qì)(過濾精度≥0.1μm)徹底攔截,過濾器需采用抗(kàng)腐蝕材質,每 10 天進行一次壓差檢測(cè),超標及時更換。


問題 3:劇毒氣體泄漏風險高,安全防護不足原因:未設置專門(mén)的劇毒氣體處理單元,缺乏有效的泄漏監測手段。解決方案:在廢氣主(zhǔ)管道前增設劇(jù)毒氣體專(zhuān)用處理模塊,采用化學吸附劑(jì)(如活性炭浸漬(zì)高錳酸(suān)鉀)進行預處(chù)理,去除 90% 以上的(de)劇毒成分;同時在(zài)處(chù)理係統進出口及設備(bèi)周圍安裝(zhuāng)氣體檢測傳感(gǎn)器(檢測精度≤0.1ppm),與(yǔ)排風係(xì)統(tǒng)和緊急停車裝置聯動,一旦超標立即啟動應急處理。


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