半導體廢氣前處理常遇難題及解決方案
半導體廢氣前(qián)處理常遇難題及解決方案摘要
問題 1:腐(fǔ)蝕性氣體處理不(bú)徹底,設備頻繁泄漏原因:單一吸附或吸收工藝對複雜混合腐蝕性氣體針對性不足,處理設(shè)備材質抗腐蝕性(xìng)能差。解決方案:采用 “分質吸收(shōu) + 防腐材質升級” 方案。針對酸性氣體(HF、Cl₂),使(shǐ)用堿性(xìng)噴淋塔(tǎ)(NaOH 溶液濃度 3%-5%),塔體及管道采用 PVDF 或襯(chèn)膠材質;對(duì)於(yú)氨(ān)氣等(děng)堿性氣體,設置酸性噴(pēn)淋塔(硫酸溶液濃度 2%-3%),兩級處理確保腐蝕性氣體去除效率99%。
解決方案:采用 “分質吸收 + 防腐材質升級” 方案。針對酸性氣體(HF、Cl₂),使用堿性噴淋塔(NaOH 溶液濃度 3%-5%),塔體及管道(dào)采用(yòng) PVDF 或襯膠材質;對於氨氣等堿性(xìng)氣體,設置酸性噴淋(lín)塔(硫酸溶液濃度 2%-3%),兩級處理確保腐蝕性氣體去除效率(lǜ)≥99%。同(tóng)時,定期檢測設備壁厚,每年進行一次防腐塗層維護。
解決方案:構建 “預處理 - 分解 - 過濾” 三級係統。首先(xiān)通過惰性氣體(tǐ)稀釋控製矽烷濃度(dù)在(zài)安全範(fàn)圍,然後進入催化分解(jiě)裝置將矽烷轉化為二氧化矽顆粒,最後經高效 HEPA 過(guò)濾器(qì)(過濾精度≥0.1μm)徹底攔截,過濾器需采用抗(kàng)腐蝕材質,每 10 天進行一次壓差檢測(cè),超標及時更換。
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